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RTP快速退火炉作为芯片制造环节中的重要工艺之一。RTP利用红外灯管热辐射加热技术，在几秒时间内（20~130℃/秒）实现晶圆的快速升温退火和尖峰退火工艺；通过退火处理，可以使材料得到修复，结晶体内部重新排列，去除缺陷和杂质，恢复晶格完整，提高电导率。

通过多物理场建模仿真，创新权重系数分配算法，最终实现了150℃/S的高速同步升温且无超调和温度均一性小于10℃的最优控制效果。

【经营层】

■ 赋能客户完成RTP退火炉自主研发，助力高端热工装备进阶。

【业务层】

■ 协同客户完成温控技术升级，推动能效与精度突破。

【现场层】

■ 实现多路高速同步升温控制，且超调小于10℃和震荡小于10秒，TC-WAAFER多点测温温度均一性小于10℃。