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刻蚀机由主控、辅控、温控三大部分组成。温控系统由负责加热的四分区热盘和负责冷却的Chiller构成，共同作用实现反应腔的温度控制。
反应腔内的气体通过电容耦合，形成等离子体；离子在射频作用下，撞击晶圆，实现物理刻蚀，保证刻蚀的深度；中性粒子需要在温度作用下保持活性，实现化学刻蚀，保证刻蚀的宽度。
刻蚀深宽比是衡量刻蚀效果的重要参数之一。温度控制是保证刻蚀效果以及刻蚀效率的关键因素。

采用多分区快速同步升温FB，保证四分区热盘的升温同步性；采用模糊PID控制技术，实现多种升温间隔，以一套PID参数实现控温；采用动态前馈补偿算法，实现启辉阶段，温度抗干扰能力强，受射频能量波动影响小。

1. 升温速度达2℃/s，超调小于1℃，稳态精度小于±0.15℃；启辉后温度波动小于±1.5℃。刻蚀效率提升15%以上。

2. 自适应性强：一套PID参数实现多种升温，比如小温差间隔0→20℃，大温差间隔0→100℃的控温曲线，在保证控温效果的同时，便于客现场工程师的调试维护。

3. 抗干扰能力强：动态前馈补偿算法实现高功率RF射频能量开启/关闭后，温度波动小于±2℃，稳态温度小于±0.15℃。

【经营层】

■ 协同客户推进设备开发与技术攻关，支持本土供应链能力建设需求。

【业务层】

■ 优化温控精度与效率关键指标，支持客户制程能力进阶行业基准水平。

【现场层】

■ 多路温控方案，提升温度同步性，控制效果满足技术要求。